全極微功耗霍爾開(kāi)關(guān)AR251 霍爾芯片 霍爾傳感器

 AR251全極高靈敏度低電壓霍爾開(kāi)關(guān)

    霍爾元件AR251是基于CMOS工藝設(shè)計(jì)和生產(chǎn)的霍爾IC，元件**集成了霍爾效應(yīng)片、電壓調(diào)節(jié)器、休眠喚醒控制電路、信號(hào)放大濾波電路、偏移補(bǔ)償電路、施密特觸發(fā)器，互補(bǔ)推挽輸出。它是一種雙磁極性磁感應(yīng)開(kāi)關(guān)，能夠感應(yīng)到磁體的N極和S極的磁場(chǎng)強(qiáng)度，AR251通過(guò)周期性休眠和喚醒工作，達(dá)到降低功耗的作用。，喚醒期間檢測(cè)環(huán)境磁場(chǎng)強(qiáng)度，休眠狀態(tài)保持*后輸出狀態(tài)。

    霍爾磁性開(kāi)關(guān)AR251有TSOT-23、TO-92S，超小超薄DFN封裝，適合用于越來(lái)越輕薄的便攜移動(dòng)設(shè)備中，所有封裝都符合RoSH環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)。

產(chǎn)品特性及優(yōu)點(diǎn)

 低功耗，I_DD=5uA

等同敏感N和S極

互補(bǔ)推挽輸出

靈敏度溫漂小

高靈敏度

工作電壓1.65~4.5V

無(wú)鉛封裝：SOT-23/TSOT-23/TO-92/DFN

霍爾元件應(yīng)用霍爾效應(yīng)的半導(dǎo)體。
　　所謂霍爾效應(yīng)，是指磁場(chǎng)作用于載流金屬導(dǎo)體、半導(dǎo)體中的載流子時(shí)，產(chǎn)生橫向電位差的物理現(xiàn)象。金屬的霍爾效應(yīng)是1879年被美國(guó)物理學(xué)家霍爾發(fā)現(xiàn)的。當(dāng)電流通過(guò)金屬箔片時(shí)，若在垂直于電流的方向施加磁場(chǎng)，則金屬箔片兩側(cè)面會(huì)出現(xiàn)橫向電位差。半導(dǎo)體中的霍爾效應(yīng)比金屬箔片中更為明顯，而鐵磁金屬在特定溫度以下將呈現(xiàn)極強(qiáng)的霍爾效應(yīng)。

由于通電導(dǎo)線周圍存在磁場(chǎng)，其大小和導(dǎo)線中的電流成正比，故可以利用霍爾元件測(cè)量出磁場(chǎng)，就可確定導(dǎo)線電流的大小。利用這一原理可以設(shè)計(jì)制成霍爾電流傳感器。其優(yōu)點(diǎn)是不和被測(cè)電路發(fā)生電接觸，不影響被測(cè)電路，不消耗被測(cè)電源的功率，特別適合于大電流傳感。
　　若把霍爾元件置于電場(chǎng)強(qiáng)度為E、磁場(chǎng)強(qiáng)度為H的電磁場(chǎng)中，則在該元件中將產(chǎn)生電流I，元件上同時(shí)產(chǎn)生的霍爾電位差和電場(chǎng)強(qiáng)度E成正比，如果再測(cè)出該電磁場(chǎng)的磁場(chǎng)強(qiáng)度，則電磁場(chǎng)的功率密度瞬時(shí)值P可由P=EH確定。
　　利用這種方法可以構(gòu)成霍爾功率傳感器。
　　如果把霍爾元件集成的開(kāi)關(guān)按預(yù)定位置有規(guī)律地布置在物體上，當(dāng)裝在運(yùn)動(dòng)物體上的永磁體經(jīng)過(guò)它時(shí)，可以從測(cè)量電路上測(cè)得脈沖信號(hào)。根據(jù)脈沖信號(hào)列可以傳感出該運(yùn)動(dòng)物體的位移。若測(cè)出單位時(shí)間內(nèi)發(fā)出的脈沖數(shù)，則可以確定其運(yùn)動(dòng)速度。

霍爾開(kāi)關(guān)又分：?jiǎn)螛O性霍爾開(kāi)關(guān)、雙極性霍爾開(kāi)關(guān)、無(wú)極性霍爾開(kāi)關(guān)（或全極性霍爾開(kāi)關(guān)），這里的極性是指磁鐵的極性N極（北極）或S（南極）極，那么單極性霍爾開(kāi)關(guān)是指開(kāi)關(guān)的正反面會(huì)指定磁場(chǎng)某一極性靠近離開(kāi)才會(huì)有開(kāi)關(guān)效應(yīng)。一般情況單極霍爾開(kāi)關(guān)的的正面（字面）會(huì)指定磁場(chǎng)S極有效，霍爾開(kāi)關(guān)的反面靠近N極有效 ，歡迎致電，為您提供指導(dǎo)選型，讓您開(kāi)發(fā)無(wú)優(yōu)！如果你是采購(gòu)，請(qǐng)告知貴司所需求的型號(hào)，如果你是工程并正在選型，請(qǐng)告知貴司的要求

 

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